霍爾效應傳感器檢視原始碼討論檢視歷史
| 霍爾效應傳感器 |
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霍爾傳感器是根據霍爾效應製作的一種磁場傳感器。霍爾效應是磁電效應的一種，這一現象是霍爾(A.H.Hall，1855-1938)於1879年在研究金屬的導電機構時發現的。後來發現半導體、導電流體等也有這種效應，而半導體的霍爾效應比金屬強得多，利用這現象製成的各種霍爾元件，廣泛地應用於工業自動化技術、檢測技術及信息處理等方面。霍爾效應是研究半導體材料性能的基本方法。通過霍爾效應實驗測定的霍爾係數，能夠判斷半導體材料的導電類型、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數。
簡介
霍爾電壓隨磁場強度的變化而變化，磁場越強，電壓越高，磁場越弱，電壓越低。霍爾電壓值很小，通常只有幾個毫伏，但經集成電路中的放大器放大，就能使該電壓放大到足以輸出較強的信號。若使霍爾集成電路起傳感作用，需要用機械的方法來改變磁場強度。下圖所示的方法是用一個轉動的葉輪作為控制磁通量的開關，當葉輪葉片處於磁鐵和霍爾集成電路之間的氣隙中時，磁場偏離集成片，霍爾電壓消失。這樣，霍爾集成電路的輸出電壓的變化，就能表示出葉輪驅動軸的某一位置，利用這一工作原理，可將霍爾集成電路片用作用點火正時傳感器。霍爾效應傳感器屬於被動型傳感器，它要有外加電源才能工作，這一特點使它能檢測轉速低的運轉情況。
評價
霍爾探頭使用銦的化合物晶體，如娣化銦。晶體大小為5平方毫米左右，置於鋁基上，通過封裝成為探頭。晶體平面垂直於探頭底側，底側由非鐵磁材料製成，以避免自身影響磁場。引線自晶體出發，穿過底側，進入到電路模塊。把探頭置於磁場中，當電流流經晶體時，載流子受洛倫茲力作用出現偏轉導致載流子在晶體上的分布不均勻，晶體兩端的鋁基上因此可以探測到霍爾電壓。霍爾探頭可以測量微弱的地球磁場。霍爾探測器首先需要根據已知磁場強度進行調校。然後，探頭需要以適當方向放置以使地磁場磁流線直接穿過它。然後再以反方向放置，所讀出的流密度是地球磁流密度的兩倍。[1]