靶材檢視原始碼討論檢視歷史
| 靶材 | |
|---|---|
 靶材照片來自 |
何謂靶材
一.靶材是電晶體和光電工業中常用的濺射資料。 濺射是一種處理過程，在真空、高壓和其他環境中，靶表面的電子通過高壓液相沉積或高壓氣相沉積分離，並通過電場作用附著到塗層體（通常為晶片、玻璃等）表面。 由於目標表面的電子必須用高能電子束瞄準，才能免受轟擊，囙此被形象地稱為「目標」。 轟擊後，靶表面的電子類似於飛濺，這種處理過程也被形象地稱為「飛濺」。[1]目標通常是高純度化合物或純金屬。 純度要求至少為99.99%。 形狀類似於圓盤。 有些靶材是長條形的，這主要是根據濺射設備的規格來確定的。 靶材是通過粉末熔煉預先製成的。
二.靶材結構由背板和貴金屬組成。 背板基本上由無氧黃銅製成（以免污染設備）。 當然，也有與背板分開製造的目標。 然而，由於單一規格的大規模生產，這種形式已逐漸消失，目標的形狀因機器而異
俄文製橢圓形
日本製圓靶
背板的質量是背板離機器越近，平整度和亮度越好，這將影響目標的可用性。 因為它是貴金屬，貴金屬的純度也是一個主要因素
三.電鍍的基本設備是電化學電池，它由陰極、陽極、電源和電鍍液組成。
四.濺射是用氬離子轟擊靶材，使靶材原子進入氣相並沉積在襯底上。 濺射具有應用廣泛的特點，幾乎可以沉積任何資料。
五.濺射系統組合
1.目標 濺射過程中，鍍在基板上的電鍍資料受到電漿中正離子的轟擊； 靶材通常是陰極。
2.濺射通量 濺射過程中的通量是濺射原子的通量。 流動原子的成分與無內擴散的冷卻靶相同。 相同靶的所有資料的濺射速率大致相同。 （但是，蒸發的蒸發率沒有不同）。
3.接地遮罩 僅將離子限制在轟擊和濺射靶上； 避免濺到目標夾具上。 防護罩和目標之間的距離必須小於暗空間的厚度。 囙此，在高頻（13.5mhz）或高壓下使用時，此距離更近。
4.擋板 佈置在兩個電極之間的活動板。 一般來說，當飛濺乾淨的靶材時（靶材在裝載或操作過程中可能被空氣污染），靶材會在靶材和基材之間移動。
5.目標冷卻 當外部能量輸入系統時，靶材的溫度將升高，靶材和夾具的組合將受損。 囙此，必須對其進行冷卻。 通常，目標是用水冷卻的。
6.基板溫度的控制 使用電阻和光源進行加熱。 通常，由於輝光放電，基板的表面溫度將高於塊體的表面溫度。
靶材種類有分純金屬、合金、化合物。純金屬包括金、銀、鋁、鎳、鉭、鈦、銅、錫、鉻、鈦；合金包括銦銀銻碲、鈦鋁、鈦鉻、鈦矽、鉻鉬、鎳鉻、鎳釩、鎳銅、鉻鎢、鉻釩、鋱鐵鈷；化合物包括矽化物、碳化物、氮化物、氧化物。
濺射靶材為濺鍍時的材料。主要可應用在ITO導電玻璃、DWDM（高密度多工分配器）、CD-R、CD-RW、DVD、EMI（抗電磁波干擾）、OLED、磁性材料、感測元件、壓電材料、硬化膜、高溫超導等產品上。[2]例如，根據國內產業調查單位的統計數據，在十五吋TFT面板的成本結構中，包括玻璃（2％）、靶材（1％）、彩色濾光片（13％）、偏光膜（6％）、驅動IC（10％）、背光模組（8％）以及其他中段Cell工程材料（2％）與後段模組材料（9％），合計所有材料成本佔整體生產成本的51％。
影片
玩什麼「靶」戲？什麼是靶材？