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''' 朱慧珑 ''' ， [[ 中国 ]] 科学院微电子研究所研究员，博士生导师。 提出了多项提高芯片性能的核心技术方案，其中包括双应力薄膜(Dual Stress Liner)、应力近临技术(stress proximity technique)、减薄栅极的应变MOSFET等; · 较系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象，提出了新的数学模型及解析解法，并第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。

朱慧珑， [[ 中国 ]] 科学院微电子研究所研究员，博士生导师.

1982年9月获 [[ 中国 ]] 科学技术大学物理系学士学位;

1988年9月获 [[ 北京 ]] 师范大学物理博士学位。

1990年至2009年，先后在 [[ 美 国Argonne 国]]Argonne 国家实验室、UIUC、DEC、Intel、IBM等任职。

1988年-1990年 [[ 北京 ]] 师范大学低能核物理研究所, [[ 北京 ]] 。 从事原子扩散，离子注入表面该性和核反应堆辐射损伤的理论物理研究。