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李述汤
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材料化学和物理专家。香港城市大学讲座教授。1947年1月生于湖南邵东。1969年毕业于香港中文大学化学系，1971年获美国罗彻斯特大学硕士学位，1974年获加拿大不列颠哥伦比亚大学博士学位。现任苏州大学教授，功能纳米与软物质研究院院长、纳米科学技术学院院长、苏州纳米科技协同创新中心主任。2005年当选为中国科学院院士。
长期致力于金刚石、纳米材料、有机电致发光材料与器件的研究。在金刚石研究方面，开展了硅衬底上金刚石成核、生长及异质外延的机理研究，提出了制备高质量外延金刚石薄膜的方法，用含烃的低能离子束在硅衬底上直接生长出异质外延的立方金刚石纳米晶，揭示了其形成机理，并用于制备其它超硬薄膜在纳米材料的研究中，发展出一种高产率制备硅纳米线的新方法，提出了氧化物辅助生长的机制，并将此方法推广到合成其它半导体材料的纳米线，得到量子效应导致硅纳米线能隙展宽的实验证据在有机电致发光材料与器件的研究中，提出用电偶层的概念解释金属/有机界面能带的突变，用嵌入无机层和修饰有机发光层表面的方法提高有机电致发光器件的发光效率和稳定性，提出了“高温NPB”有机电致发光器件制备新方法。
长期致力于金刚石、纳米材料、有机电致发光材料与器件的研究。在金刚石研究方面，开展了硅衬底上金刚石成核、生长及异质外延的机理研究，提出了制备高质量外延金刚石薄膜的方法，用含烃的低能离子束在硅衬底上直接生长出异质外延的立方金刚石纳米晶，揭示了其形成机理，并用于制备其它超硬薄膜在纳米材料的研究中，发展出一种高产率制备硅纳米线的新方法，提出了氧化物辅助生长的机制，并将此方法推广到合成其它半导体材料的纳米线，得到量子效应导致硅纳米线能隙展宽的实验证据在有机电致发光材料与器件的研究中，提出用电偶层的概念解释金属/有机界面能带的突变，用嵌入无机层和修饰有机发光层表面的方法提高有机电致发光器件的发光效率和稳定性，提出了“高温NPB”有机电致发光器件制备新方法。