變更

直拉法生长的空间太阳能电池用锗单晶中位错密度的影响因素有:1.籽晶中位错延伸对晶体中位错密度的影响 ;2.温度梯度对位错密度的影响 ;3.固液界面形状对位错密度的影响 ;4.机械因素对位错密度的影响 通过 d a s h 技术排除籽晶中位错的影响; 通过调整晶体 所处的热场 ( 改变埚位和保温筒高度 ) 、 改变熔体中轴向负温度梯度的状况 ( 增加坩埚杆的保温效果和开双加热器 ) 和通过设计出轴向温度梯度为线性温度梯度径向温度梯度较小的热 场来减小温度梯度对位错密度的影响 ; 通过调整固液界面形 状 ( 改变拉速 、 埚 转和晶转 ) 来改善由于固液界面形状不佳带来的位错增值现象 。通过上述措施可以基本消除单晶中位错排 、 位错堆以及[[小角晶界]] , 得到低位错密度的单晶。<ref>[https://baijiahao.baidu.com/s?id=1672815037246357616&wfr=spider&for=pc 位错密度]百度</ref>

=='''参考文献'''==