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[[File:气相外延法1.jpg|缩略图|气相外延法[http://www.ecorr.org/d/file/news/industry/2018-11-13/6b7c9f4736fa586b3bbb5e6e2d278bf3.jpg 原图链接][http://www.ecorr.org/d/file/news/industry/2018-11-13/6b7c9f4736fa586b3bbb5e6e2d278bf3.jpg 图片来源优酷网]]]
气相外延法是指一种晶体浮生在另一种晶体上的方法，[[浮生晶体]]与衬底晶体间存在着结构相似的[[晶体学低指数]]。面晶体是在结构匹配的界面上生长，称为配向浮生 。
根据衬底下同，可分为[[同质外延]]和[[异质外延法]]两种。根据生长体系状态的不同、外延法又可分为[[气相外延法]]、[[液相外延法]]、[[熔融外延法]]等。
[[File:气相外延法2.png|缩略图|气相外延法[https://www.materialsviewschina.com/wp-content/uploads/2017/02/Smll-zhangguangyu.png 原图链接][https://www.materialsviewschina.com/wp-content/uploads/2017/02/Smll-zhangguangyu.png 图片来源优酷网]]]
==过程==
外延法常用于薄膜生长。在外延生长中，衬底的选择是至关重要的，除了与被沉积晶体存在晶格匹配外，衬底表面必须清洁，没有机械损伤和粗大的杂质堆积，否则会影响外延膜的生长和质量。沉积速率和气氛也影响外延膜的质量。该法常用于[[电子仪器]]、[[磁性记忆装置]]和[[集成光学]]等方面的工作元件的制作，并日益发挥着重要的作用。
[[File:气相外延法3.jpg|缩略图|气相外延法[https://www.juhecat.com/wp-content/uploads/2020/06/NewsImage_37095-e1592447334434.jpg 原图链接][https://www.juhecat.com/wp-content/uploads/2020/06/NewsImage_37095-e1592447334434.jpg 图片来源优酷网]]]
==在半导体中的应用==