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1940年毕业于福建协和大学（福建师范大学前身）物理系；1955年获美国宾夕法尼亚大学博士学位；原中国科学院院士、中国科协副主席。长期从事半导体材料科学研究工作，是我国半导体科学事业开拓者之一。先后负责研制成我国第一根硅单晶、第一根无错位硅单晶、第一台高压单晶炉、第一片单异质结SOI外延材料、第一根GAP半晶、第一片双异质结SOI外延材料，为我国微电子和光电子学的发展奠定了基础；负责研制的高纯度汽相和液相外延材料达到国际先水平。她先后四次获中科院科技进步奖一等奖，两次获国家科学技术进步奖二、三等奖

1996年获何梁何利科技进步奖，1998年获霍英东成就奖，并受到中央三代领导人的关怀和接见。