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X射線光電子能譜學(英文:X-ray photoelectron spectroscopy,簡稱XPS)是一種用於測定材料中元素構成、實驗式,以及其中所含元素化學態和電子態的定量能譜技術。這種技術用X射線照射所要分析的材料,同時測量從材料表面以下1納米到10納米範圍內逸出電子動能和數量,從而得到X射線光電子能譜。X射線光電子能譜技術需要在超高真空環境下進行[1]

XPS是一種表面化學分析技術,可以用來分析金屬材料在特定狀態下或在一些加工處理後的表面化學。這些加工處理方法包括空氣或超高真空中的壓裂、切割、刮削,用於清除某些表面污染的離子束蝕刻,為研究受熱時的變化而置於加熱環境,置於可反應的氣體或溶劑環境,置於離子注入環境,以及置於紫外線照射環境等。

XPS的歷史

1887年,海因里希·魯道夫·赫茲發現了光電效應,1905年,愛因斯坦解釋了該現象,並為此獲得了1921年的諾貝爾物理學獎。兩年後的1907年,P.D. Innes用倫琴管、亥姆霍茲線圈、磁場半球(電子能量分析儀)和照像平版做實驗來記錄寬帶發射電子和速度的函數關係[2],他的實驗事實上記錄了人類第一條X射線光電子能譜。其他研究者如亨利·莫塞萊、羅林遜和羅賓遜等人則分別獨立進行了多項實驗,試圖研究這些寬帶所包含的細節內容。

XPS的研究由於戰爭而中止,瑞典物理學家凱·西格巴恩和他在烏普薩拉的研究小組於第二次世界大戰後,在研發XPS設備中獲得了多項重大進展,並於1954年獲得了氯化鈉的首條高能高分辨X射線光電子能譜,顯示了XPS技術的強大潛力。1967年之後的幾年間,西格巴恩就XPS技術發表了一系列學術成果,使XPS的應用被世人所公認。在與西格巴恩的合作下,美國惠普公司於1969年製造了世界上首台商業單色X射線光電子能譜儀。1981年西格巴恩獲得諾貝爾物理學獎,以表彰他將XPS發展為一個重要分析技術所作出的傑出貢獻。

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參考文獻