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楊思澤檢視原始碼討論檢視歷史

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楊思澤
中科院物理研究所研究員、博士生導師
出生 1947年2月
國籍 中國
母校 美國加州大學柏克利分校
職業 教育科研工作者

楊思澤,男,1947年2月生,1978年6月畢業於美國加州大學柏克利分校核工研究所,博士學位,現任中國科學院物理研究所研究員[1]博士生導師[2]

教育背景

1964.9-1968.6,台灣成功大學機械工程系,大學本科;

1968.9-1970.6,台灣清華大學原子科學研究所,碩士學位;

1972.9-1978.6,美國伯克利加州大學核工程系,核聚變與等離子體物理專業,博士學位。

工作簡歷

1970.7-1971.6,台灣空軍通信電子學校;少尉教官,講授高等數學;

1971.7-1972.7,台灣原子能委員會技術處;技術專員,技正;

1972.9-1978.6,美國伯克利加州大學;助教,研究助理;

1978.7-1979.8,Kentex Co., Berkeley, CA, USA;高工;

1979.12至今,中國科學院物理研究所;副研究員,研究員;

1982-1984,中科院合肥等離子體研究所熱電子環磁鏡實驗項目負責人;

198年迄今,中科院物理所"波與等離子體相互作用"、"電子迴旋波等離子體共振加熱研究"、"等離子體與材料相互作用研究"等課題組組長。

主要研究方向

低溫等離子體與等離子體應用基礎研究。過去的主要工作及獲得的成果:成功地將等離子體核聚變領域的一些原理和機制用於材料表面改性領域,研製開發出許多具有自主知識產權的裝置和技術。首次利用高能量密度等離子體束(PHEDP)法製備出類金剛石、氮化鈦、立方氮化硼等薄膜,在陶瓷表面金屬化方面做過許多開創性的工作。首次將等離子體源離子注入(PSII)技術應用與材料內表面改性處理,並對其特性進行了系統地實驗研究。在國際著名學術刊物(SCI)上發表論文130餘篇,獲國家專利6項,獲得部級科技進步三等獎1次,國際會議邀請報告4次。

目前研究課題

1.真空弧結合空心陰極弧材料表面改性研究

2.高能量密度等離子體槍裝置及材料處理研究

3.管件內壁等離子體注入材料改性研究

4.等離子體電解沉積製備功能性薄膜

5. 等離子體生物醫用材料表面改性及生物相容性研究

6. 大氣壓條件下介質阻擋放電等離子體對植物種子處理的研究

目前主持的研究項目有國家自然科學基金項目,863項目,北京市科技計劃項目各一項。

參考來源