高功率半導體激光國家重點實驗室檢視原始碼討論檢視歷史

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高功率半導體激光國家重點實驗室成立於1997年，由原國防科工委和原兵器工業總公司投資建設，經過二十年的發展建設，實驗室已經成為我國光電子領域的重要研究基地和人才培養基地之一。現有科研、辦公面積3800平方米，超淨實驗室面積為1500平方米；生產開發平台面積為600平方米，其中超淨實驗室面積為200平方米。

簡介

現有博士學位授權一級學科2個、碩士學位授權一級學科2個、國防特色學科1個、博士後科研流動站1個。實驗室有研究人員36人，其中雙聘院士1人、教授9人、副教授10人，博士生導師10人，科技部重點研發計劃總體專家1人，國家獎評審專家1人，國防科學技術獎評審專家1人，吉林省長白山學者1人。實驗室現有 MBE、MOCVD 等先進的半導體材料外延生長設備， SEM、XRD 、PL等完善的材料分析檢測手段，電子束蒸發、磁控濺射、芯片解理、貼片、激光焊接、平行封焊、綜合測試等工藝設備，設備資產1.2億元，為光電子領域的相關研究提供了一流的條件支撐。

在半導體激光研究方向上，高功率半導體激光國家重點實驗室代表着國家水平，研製的半導體激光器單管輸出功率大於10瓦、光纖耦合模塊大於100瓦、以及高頻調製、脈衝輸出等半導體激光器組件，技術處於國內領先水平；在基礎研究領域，深入開展了GaSb材料的外延生長理論及技術研究，研究成果達到國際先進水平；在半導體激光應用基礎技術研究領域，堅持以滿足武器裝備應用為目標，研製的駕束制導半導體激光發射器成功用於我軍現役主戰坦克武器系統，實現了駕束制導領域跨越式發展；研製的激光敏感器組件已經用於空軍某型號末敏子彈藥中，並將在多個武器平台上推廣應用。近年來，實驗室在國內外重要學術刊物上發表論文600餘篇，出版專著7部，獲國家、省部級獎勵40餘項，申請發明專利50餘項，鑑定成果40餘項，對我國的國防武器裝備發展作出了重要貢獻。

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