變更

TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊接在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB板传热就相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz后，会产生较大的信号干扰和电磁干扰它的缺点是容量密度做不大，因此不可能彻底取代DRAM、SRAM，但在一些对容量没有过高要求、对寿命/速度敏感的场景和设备上非常合适，尤其是高速工业场景。其实，铁电存储技术不是新鲜玩意儿，1921年就有了这一概念。虽然直到1993年才由美国RAmtron公司开发出第一个4Kb FRAM产品，但近些年来已经得到了广泛应用。<ref>[https://baijiahao.baidu.com/s?id=1716670853252729388&wfr=spider&for=pc TSOP封装]搜狗</ref>

=='''参考文献'''==